第259章 p型、n型、共掺杂(第 3/4 页)

    n型掺杂，或者说磷掺杂金刚石，之所以难。

    是因为磷原子比碳原子大，很难嵌入金刚石晶格。

    当磷原子进入金刚石晶格内，会引起晶格扭曲，影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。

    磷掺杂金刚石中存在大量空位，也会与磷原子形成结合力很强的磷—空位缺陷。

    这种缺陷的能级位于金刚石导带底约1.7ev的位置上，可以补偿施主，阻碍磷原子的电离。

    进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。

    虽然磷的能级位于导带底以下0.58ev，但是这种缺陷却还是存在。

    “缺陷的填补……”

    陈舟手中的动作加快，鼠标的滚轮不断滑动。

    屏幕上的内容被陈舟拉到了共掺杂的部分。

    【氮原子处于金刚石晶格中的替代位置，会形成激发能量为1.7ev的深施主能级，在室温下不导电……】

    【理论上，磷可以作为浅施主杂质，但磷原子的半径大于碳原子半径，很难掺入金刚石晶格中……】

    【理论表明，磷—氮共掺的方法，也许是克服宽禁带和超宽禁带半导体自身补偿的一种有效方法……】

    【……】

    看到这，陈舟手中的速度不自觉的慢了下来。

    如果氮原子能够填补缺陷，磷原子的掺杂就有了空间……

    本来是准备先解决n型掺杂问题的，结果这一思考，问题就跳跃到了共掺杂？

    因为四十三所的n型掺杂实验，采用的是磷掺杂。

    所以在共掺杂中，他们研究的便是磷—氮共掺的方法。

    这也使得陈舟就这样把两者联系在了一起。

    陈舟不由得在心中笑了笑，但也随即便决定将n型掺杂和共掺杂的问题放在一块解决。

    在共掺杂实验中，最早被作为磷源的是ph3，被作为氮源的是n2。

    但是，采用这两种气体进行实验时，得到的结果却并不理想。

    制备出来的掺杂金刚石膜的电阻率很高。

    随后的实验中，磷源和氮源的选择被不断变更。

    像是nh4h2p04这种包含磷元素和氮元素的单一掺杂源，也被应用到了研究上。

    但得到的金刚石膜的电阻率依然很高。

    陈舟又看了一眼四十三所的实验数据，随即开始在草稿纸上整理可以作为氮源和磷源的物质。

    在陈舟沉浸在研究中时，房间外的天色已经渐渐暗了下来。

    “陈舟。”

    被沈靖的声音喊醒，陈舟疑惑的抬起头看着沈靖。

    沈靖指了指电脑：“数据分析完成了。”

    “噢。”陈舟应了一声，起身走到沈靖旁边看了一眼。

    分析的结果和他的预料基本上没有多大差别。

    “发给我，我做最后的处理。”

    沈靖点点头：“好。”

    陈舟转身就准备走回座位，这时沈靖拽住了他，指了指电脑屏幕的右下角。

    陈舟看了一眼，这才惊觉居然已经六点半了。

    想了想，陈舟并不打算在四十三所加班，还是回酒店舒服些。

    于是，两个人把资料整理好，跟彭飞那边说了一声，便离开了四十三所。

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