第322章 许诺巨额研发经费(第 1/3 页)

    一　　“胡总工，你说的这些靠谱吗？”奚龙山有些激动又有些怀疑地问。

    “是啊，上了双胶的厚度还了得！那还怎么保证流明度？”

    “双胶曝光产生化学反应不会腐蚀硅片上的沉积吗？”

    “对啊，抛开腐蚀性不谈，这是要用哪两种胶搭配啊？涂覆后又要怎么消除不同性质的胶层间的折射呢？”

    “你还考虑涂覆后的问题呢！我看涂覆本身就是个大问题！这可不是做奶油蛋糕，厚点没关系，胶层可是零点几微米的厚薄，底胶刷上去后，二层胶体的涂覆均匀度怎么保证？涂覆厚薄如何控制？我们现在的上胶设备都是采用高速旋转涂覆工艺，这要是再刷二层胶，底胶肯定被刮破的不成样子了！”

    “你们就只考虑光刻胶，我看胡总关于解决几何畸变的思路才是最难解决的工艺，这需要对每台光刻机的镜头分别实验，采集参数，再对镜头与硅片之间定位的标记点作不同的微调，这里面要花多少功夫啊。”

    “是啊，现在用的硅片定位系统可做不到这么智能化的微调，按照胡总的思路，光刻机每次曝光都要根据曝光图形来微调定位标点，这简直太精密了，等于说硅片定位系统要搞一套全新的设计，才能满足需求。”

    王选玉工程师有些激动地道：“胡总，你有没有这方面的论文？如果有的话为什么不发表啊？把你的思路详细说一说不可以吗？”

    胡一亭道：“这些都是国际上最领先的工艺，哪可能写论文给大家白看白学啊!

    而且从根子上来说，没有更好的光刻机支持，制程工艺的改进不过是一种强行提高制程的手段罢了，为的是最大限度的提高实验室制程下的良品率。”

    顾峡生所长激动道：“可要是能把0.8微米光刻机下的实验线强行提升到0.35微米制程，并且提升流片良品率，这意义还了得啊！

    这等于是帮助我们国家提前研发新一代制程下的IC设计工艺啊！这在以往可是只有西方少数巨型集成电路公司才会的技术。”

    奚龙山也道：“是啊！哪怕是强行提升试验线路的制程和流片良品率，那也是了不起的技术突破！意义重大！

    我听说在英特尔和德州仪器的实验室里，能用平级甚至低级制程设备做出领先世界最先进晶圆厂制程的下一代线宽，来作为IC设计实验线路使用，要是咱们国家也能做到这一点就好了，那样一来，也就不存在晶圆厂等IC设计的尴尬了！”

    胡一亭笑道：“对，这就是实验线的积极意义所在，未来重光会大笔投资在制程工艺乃至制程设备的技术研发上，金额嘛，反正是天文数字！”

    顾所长惊叹道：“我国在制程工艺上还比较落后，这也是改革开放以后长期缺少研发经费的缘故，像胡总说的这些新工艺，没钱根本就不可能立项研发。

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