第四十七章 新的目标(第 1/4 页)

    之后的几天，许秋又做了两批器件，一批是重复pen基片的，另一批是在同样实验条件下玻璃基片的。

    ptb7-th体系中，pen基片的最高效率提高了一点点，达到了8.20%。

    而玻璃基片下的标准样品，最高效率可达10.26%。

    这个数值，相比于他之前在模拟实验室中得到的10.68%，稍差一些，可能是器件结构不同造成的。

    pen基片不能高温热退火，所以用的是pedot:pss传输层的正常结构，而之前使用的是氧化锌传输层的倒置结构。

    此外，虽然重点在于ptb7-th体系，但是许秋也做了p3ht体系。

    主要是为了让文章数据更加丰满一些，同时也说明这种柔性衬底的加工方式具有普适性。

    再之后，许秋完成了各种表征测试，包括光吸收光谱、荧光光谱、celiv测试等，还拍了一张用两只镊子弯曲pen基片器件的照片。

    在实验进行的间隙，许秋也在同步以论文的形式，写项目的结题报告。

    这个时候，他前期阅读了大量的文献的优势就体现出来了，再加上他还可以随时向学姐请教。

    因此中文论文写起来压力并不大。

    正文部分，许秋先将四组器件编号，pen基片的ptb7-th、p3ht体系，分别为1#、3#，玻璃基片对应的体系分别为2#、4#。

    然后，主要就是比较玻璃和pen这两种基片的不同，对器件性能的影响，并分析其可能的原因。

    像是光学性能，光吸收光谱和荧光光谱都是直接测有效层薄膜的，数据对两种基片的器件都是一样的。

    所以不需要比较，直接将得到的图片信息转化为文字就可以了。

    比如：1#、2#有效层共混薄膜的主要光吸收范围在550-750纳米，最高吸收峰位置在680纳米处，3#、4#的主要光吸收范围在300-600纳米，最高吸收峰位置在530纳米处。

    荧光光谱则相对复杂一些，两种体系都需要分别测试给体、受体单独组分薄膜和共混薄膜的荧光光谱，然后计算荧光淬灭效率。

    不过，同样是看图说话，也没什么难度。

    而像是celiv，则是对电池器件进行表征，那么不同样品编号的器件测试的结果就会有所不同，就需要进行比较分析。

    许秋的测试结果：

    -->>(第 1/4 页)（本章未完，请点击下一页继续阅读）