第241章 MPCVD(第 3/4 页)

    而陈舟只觉得纳闷，怎么这师徒两人，都喜欢问人问题呢？

    偏偏还都是这么简单的问题，要问也问点有难度的呀？

    想是这样想，陈舟肯定不会说出来，万一这高冷学姐……

    收回思绪，陈舟轻声说道：“普通半导体材料受到自身性能的约束，在高温条件下的应用会受到极大的限制。”

    “而金刚石半导体器件具有高载流子迁移率、高热导率和低介电常数等优异的电学性质，能够在高频、大功率和高温高压等十分恶劣的环境中运行。”

    “金刚石通过掺杂可呈现n型导电和p型导电，性能会远超砷化镓、氮化镓和碳化硅等材料，是目前最有希望的宽禁带高温半导体材料。”

    潘诗妍略显意外的看了陈舟一眼，没想到这人知道的还不少。

    “没错。但不光如此，”潘诗妍补充道，“由于金刚石带隙很宽，在半导体领域中，既能作为有源器件材料，像场效应管和功率开关，也能作为像肖特基二极管这样的无源器件材料。”

    顿了顿，她看着陈舟又问道：“你刚才说金刚石是一种宽禁带高温半导体材料，怎么看出来的？”

    陈舟看了潘诗妍一眼，想了想，既然你打开了话题，那我就不客气了。

    陈舟便说道：“金刚石的带隙宽度是5.5ev，它的高载流子迁移率在4500cm2/(v·s)，空穴为3800cm2/(v·s），高热导率在22w/(cm·k)，高击穿电场在10mv/cm。”

    “而其电子载流子饱和速率在1.5x10^7到2.7x10^7cm/s之间，空穴载流子饱和速率在0.85x10^7到1.2x10^7cm/s之间，低介电常数是5.7。”

    “基于这些优异的性能参数，金刚石被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功损耗率电子器件最有希望的材料。”

    说完这些，陈舟停顿了一下，又继续说道：“虽然金刚石的储量非常稀少，但是上世纪50年代，人们便已经用石墨合成了人造金刚石。”

    “而且人造金刚石和天然金刚石的结构相同、性能相近，也就很好的解决了金刚石来源的问题。”

    “此外，上世纪80年代，通过建立热丝化学气相沉积装置，也就是hfcvd法，已经能够在非金刚石衬底上制备金刚石薄膜。到了90年代中期，金刚石膜沉积理论已经相对完善了。”

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