第八百五十七章 半导体新蓝图(第 2/3 页)

    所以难免有人会有质疑，而梁梦松接下去对于3nm技术的一个介绍，打破了很多的人质疑。

    当然，大风集团在2017年实现3nm实验，这里面自然少不了孟谦的功劳。

    历史上最早实现3nm实验室测试的是比利时微电子研究中心，时间是2018年，大风集团早了一年。

    而孟谦做的最重要的一件事情依然是给了大家一个坚定的方向，这就减少了很多走弯路的时间。

    芯片第一次被大众认为到了极限，是22nm的时候，当时突破这一极限靠的就是3d晶体管结构的出现，也就是当时大风半导体一举在半导体市场名声大噪的时候。

    而芯片的第二个大众认为的极限就5nm，一个隧穿效应被传的几乎人尽皆知，以至于2016年的时候出现了只要在网上说一句芯片能突破5nm就会被一群人用隧穿效应来怼的情形，虽然这里面大部分人应该都不知道隧穿效应到底是啥。

    直到台积电确认了3nm的突破，那些人才终于闭麦，事实上隧穿效应是真的，不管是22nm的极限和5nm的极限论也都是真的，前提是结构不变。

    22nm的突破靠的是结构的突破，5nm的突破同样靠的是结构的突破，某种意义上来说3nm其实是指晶体管密度等同于3nm线宽时可以达到的极限而实现3nm的等效结果，并不是真正意义上的3nm线宽。

    曾经的台积电是这样，现在的大风半导体也是这样。

    但是因为能实现同等效果，那就称其为3nm处理器，硬要说，也没毛病。

    所以当整个行业在纠结22nm怎么突破的时候，孟谦坚定的让员工去搞3d晶体管。

    同理，当行业在讨论5nm之后是不是要用新材料的时候，孟谦告诉员工们材料研发当然要做，所以包括纳米片，纳米线，高迁移率通道，碳纳米管等都在进行实验。

    同时，继续突破结构是另一条必走的路。

    因为坚定的投入和坚定的研发，自然就能走的比别人快一些。

    梁梦松在现场提出了一个全新的概念，3d复合结构。

    孟谦因为2020年前挂了所以并没看到台积电的3nm详解，但大风半导体的3nm路线跟台积电的3nm还挺相似，这可能是大风半导体坚持finfet晶体管这条路线的必然走势。

    所谓的3d复合结构，其实就是一个综合封装技术，在原本就很挤的空间里再腾出一点地方来。

    当然，说起来真的很简单，但实现起来非常困难。

    而在最后的大风半导体新蓝图展示中，梁梦松告诉大家，3d复合结构可以把芯片工艺推进到1nm，大风集团的计划是在2025年搞定1nm的量产。

    到这，大家觉得今天大风半导体的戏份总该结束，因为真的够震撼了，可事实是还没完。

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