第210章 技术难关！(第 3/3 页)

    杨杰继续按动鼠标，把投影仪上的图片换了一张，继续讲解道：“这张图很经典啊，这是栅邬化硅附着不良的典型特征，是多晶硅生长工艺的问题，只要改进栅邬化硅生长前的清洗工艺，从而消除附着不良的现象就可以了。”

    底下几位负责硅晶片的工程师听到这个也是赶紧记下杨杰所说的改进方案。

    杨杰继续给大家讲解今后制程工艺需要改进的地方和具体方法，大家听得津津有味，飞快地记着笔记，人人都觉得眼前被杨杰打开了一扇崭新的大门，而这道门是以前一直苦于西方技术封锁而始终不得窥其究竟的！

    随着制程工艺的提升，牵涉到的问题非常之多，就连英特尔这样的公司为了每一代制程工艺也是需要耗费数十亿美金和方方面面的工程师来共同攻关，可见其困难！

    不过万幸的是杨杰自己本身在这方面也是有着足够多的经验，在场科学家和工程师们觉得自己仿佛在听世界级实验室出来的顶级专家传授绝密技术，而荒唐之处却在于，这位专家却只有二十岁！

    “大家看，这是多晶硅膜在刻蚀后的照片，对于这些蚀损斑，大家怎么看这些疤？”

    见大家都不说话，杨杰亲自解释：“从形态上分析，这是干法刻蚀余量不够造成的，主要是光刻机新镜头和工件台的配合还没有达到完美。”

    杨杰看着何玉光说道：“何总，这个问题虽然影响不大，不过还是需要再调试一下，尽量减少这种情况。”

    “好的，杨少。”何玉光点头道。

    会议室里大家都是认真地听着杨杰一个一个地说着制程工艺上的问题，生怕错过了什么。

    杨杰也知道华越电子公司的徐少秋和中晶微电子公司的工程师在FinFET制程工艺上都只掌握0.35微米的制程工艺，至少得再数量掌握一代制程工艺后才有足够的经验，他自然是想在这上面多给他们提供一些经验。

    会议开到了晚上，杨杰也是说得口干舌燥，总算是将许多问题给大家说透了。

    杨杰在岳泰市这边在家里待了几天，他去潭州市的时候华越电子公司按照他方案做出了全面的调整后良率果然飙升到了百分之七十四，这个良率非常之高，可以说华越电子公司已经完全掌握了0.18微米的制程工艺。

    这个意义就非常大了，现在MI国英特尔公司才成熟地掌握了0.13微米制程工艺，90纳米的制程工艺正在攻关中。

    严格来说，MI国方面制程工艺已经只领先HX国一代了。

    杨杰也是给父亲打了电话，让他暂时不要把这个消息向上面汇报，同时也禁止自己公司的人员向外界透露这个消息。

    大家闷声发大财就好，如果向外界嚷嚷着HX国已经攻克了0.18微米制程工艺，MI国方面肯定会派出情报人员了解情况，到时候查到瑞星科技公司能够生产光刻机的事情，到时候肯定会想尽办法堵死瑞星科技公司从外面进口的路子，到时候大家大家就只能干瞪眼了。