第357章 3D闪存技术！(第 2/3 页)

    “我只是说一下我的想法，具体的还是要他们来修改。”

    杨杰笑着道：“他们在IO输入输出接口设计上太想当然，没有考虑制备难度和工序，DMA引擎设计不够精简，影响存取速度，校验算法效率不高导致坏区检验能力不足，颗粒使用时间长了以后数据会经常出错。”

    谭云松几乎要哭出来：“杨少你怎么不早说？我还以为那个设计很完美呢？韩小龙前两天还在到处吹牛，说顶多流个七八次片就能试验成功。”

    “他们的研发思路是没有错，只要稍微修改一下设计，这样可以把制备流程缩短30%，生产成本会大幅下降，以后良品率也会很容易上去。”

    “杨少你真是天才，一眼就看出了这里面的问题，连如何修改都想好了，有你这样的天才，我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”

    杨杰哈哈笑一笑，老天爷好不容易让自己重生一回，自己手头上有大量的技术专利，不拿出利用那简直太暴殄天物了！

    “我都怀疑杨少你上辈子是不是搞IC的？这辈子是带着记忆投胎？为什么有着如此多的想法？”

    “谭总你可是还科学家呢！怎么还相信这一套！”

    谭云松笑了起来：“没办法，国内在半导体产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没办法用科学来解释。”

    “这不是谭总最希望看到的结果么。”杨杰笑着道。

    次日，杨杰也是出现在了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部门的技术工程师，中间还有二十多名的MI国的工程师。

    他指着投影屏幕上自制的PPT说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0。”

    杨杰继续说道：“氮化硅之前只是用在对底层金属实现覆盖，因为针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮化硅注入沟道边沿。”

    他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写入操作时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。

    “由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘。正是这样，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的闪存容量增加了一倍。”

    “在这个基础上，我们可以今后发展出多电压控制栅极多层注入电荷技术产品，实现多层的堆叠，可以用这种技术在现有的制程工艺上最大限度地增加闪存的容量，而不是完全依靠制程工艺的提升，这也大大地降低了闪存的成本。”

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