第809章 吃干抹净方小年(求订)(第 3/4 页)

    “……”

    其实许多人，包括苗为不明白方年为什么会如此极力坚持euv。

    毕竟理论上duv可以支持到7纳米光刻。

    现在全世界最先进制程的是英特尔，才搞定22纳米。

    距离7纳米看起来是很遥远的。

    而且到这一步，为了防止原子漏跑等，简称漏电，现在国际先进制程已经在考虑finfet工艺。

    这就开始出现方年所说的技术瓶颈。

    按照国际半导体技术蓝图定义技术节点是最小金属间距(mmp)的一半来算，mmp减少开始变缓；

    偏偏3d化后，晶体管数量依旧激增，这样就显示不出工艺进步了。

    于是……

    下一代工艺命名就按照了早期二维晶体管形式的长宽各缩短0.7，则面积缩小一半(0.7x0.7＝0.5)这样的一个形式来简化计算。

    什么叫简化计算……

    即，20x0.7＝14。

    再然后是14→10→7→5→3。

    那么实际上mmp减少了多少呢？

    以台积电为例，从10纳米到7纳米，mmp从44纳米降到了40纳米。

    只有坚守摩尔定律的英特尔死活在14nm+、++、+++上停滞不前。

    英特尔甚至想说一句：不标准的命名规则都特么是耍流氓。

    这也是从终端用户角度上，更先进制程的突破，体验感并未成倍数突破的原因。

    甚至可以说，英特尔的14nm+++≈广泛意义上的7nm。

    因为两者每平方毫米晶体管数量基本相等。

    综上……

    方年之所以毫不犹豫all in euv。

    是因为这特么眨巴眼的功夫，就必须要用到euv了。

    在方年重生之前，别说瓦森纳、禁运这些，就唯一可以生产euv的asml手头上握着起码能排到五年后的订单。

    原因十分简单：产不出来。

    方年既然有理想有抱负，怎么可能在这里不来一手准备？

    现在开始all in euv，起码五年十年后，梼杌是能搞出来点东西的。

    euv(极紫外)的光源波长直接就从193纳米跳到了10~14纳米之间的，目前研究资料表明，13.5nm波长是可用性最高的。

    这样一来，在尖端光刻领域，就有了话语权。

    稍顿，苗为沉吟着道：“duv光刻的进展这么顺利，前沿有无量产计划？”

    “暂时没有，到28纳米再说。”方年平静道，“我想应该有人会主动给我们送这中间的成套设备。”

    苗为一下就懂了，忍不住伸手虚点了方年两下：“你小子，难怪马珀利跟雷軍都公开吹捧说你是最成功的商人，没有之一云云，你简直就是个商业奇才！”

    接着又含蓄的提了句：“大基金的事情快提上议程了。”

    “……”

    方年笑笑，没接话茬，再次直接转移了话题：“月底之前，胜遇实验室的4g组网方案可基本实用；

    胜遇实验室在西沙完成了双4g组网实测，成果还不错。”

    闻言，苗为眼睑轻动，脸上微有笑意，顺着话头说下去：“说起来，你怎么会自己跑到海南去？”

    “啊？”方年面露迟疑。

    苗为笑了笑：“你个人承接宣德七连屿跨海大桥工程这事，在我这里可不是秘密；

    前不久的会议上我们才聊起过这件事情，民政李部说你方总心里可能有些许怨气。”

    方年：“……”

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