面对日本人的闪电战，韩国人根本无力抵抗，三星一年亏损高达3亿美金。
1986年，英特尔和ibm紧急动员，联手对三星进行技术和经济扶植。同时依据《美日半导体协议》对日本人的约束，米国人对韩国人放开米国国内市场，韩国半导体企业迅速在米国国内市场占据30%的dram市场份额。
仅仅一年时间，1987年三星实现扭亏为盈，度过最艰难和危险的时刻。
就这一点，日韩半导体战争就已经不再是单纯的科技战争，已经涵盖政治、军事、经济等国家层面的大政方针。
就这一点，dram内存已经不仅决定一个国家半导体工业的命运，更决定一个国家能否成为科技大国、强国的命运。
有了米国人的帮助，韩国人获得了很多东西，技术上获得16k、64k、256k dram等核心技术，获得cmos生产制程工艺和流程等。
利用《美日半导体协议》获得战略纵深，米国人对韩国人开放当时全球最大的消费市场-米国国内市场。
客观而言，韩国半导体工业发展历史中，米国人对韩国人的倾力扶持，这一点几乎是不可以借鉴和复制的。
但是，在整个日韩半导体战争中，韩国人在国家策略、科技红利投入等方面，仍有许多值得庞们借鉴的地方。
第一，构建韩国人版本的“官产学”三位一体，殖产兴业的财阀制度。
1986年，在米国顾问建议下，韩国政府举国之力，重金研制dram，并将4m dram列为国家项目。
由韩国电子通信研究所(kist)牵头，联合三星、lg、现代和韩国六所大学，一起对4m dram进行技术攻关，目标是到1989年，开发并批量投产4m dram，完全消除与日本人的技术差距。
该项目三年中的研发费用高达到1.1亿美金，韩国政府承担其中57%的投资。由此，韩国人版本的“官产学”一体成型。
在全球半导体工业发展历史中，依托政府、企业、科研院校力量完成重大国家项目的攻关和突破，无论米国、天朝和日本，韩国人是最为极致的，非常类似于日本明治维新时代的“殖产兴业”的财阀制度。
客观而言，在举国体制进行重大项目攻关上，韩国人的“殖产兴业”财阀制度，其效率是大大优于日本人的“官产学”三位一体，恐怕也只有天朝的新时代天朝特色的能够相比较。
第二，加大科技红利之有效研发投入，压强原则，快速提升压强系数，对重点项目重点攻关。
从1990年开始韩国三大企业重金投入，建立了完善的赶超日本dram产业的研发体系。三星建立26个研发中心，lg建立18个，现代建立14个。
与之对应的是，研究费用成倍投入。
1980年三星在半导体领域的有效研发投入仅有850万美金，到1994年已经高达9亿美金。
在专利技术方面，1989年韩国的专利技术应用有708项。
1994年已经上升到3336项。
科技红利投入，特别是有效研发投入，使得韩国人仅仅用5年时间，就完成对日本人的追赶。
仅仅用3年时间，就完成对日本人的超越。
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