158 日韩半导体战争(第 2/4 页)

    1960年起日本形成“官产学”三位一体的体系，即政府、企业和大学联合对集成电路技术进行攻关。

    1960年日本人成功研制了第一块晶体管集成电路；1963年研制mos型晶体管。特别是1962年米国人对日本人开放当时全球半导体工业最先进的平面制造工艺技术，使得日本人几乎一夜之间就获得集成电路的生产制造技术。

    这构成了日本半导体工业体系的雏形，一下子缩短了和天朝人的差距。

    在第二次dram世界大战-美日半导体战争中，日本制定了三步走的战略：

    确定目标、追赶、超越。

    直到今天，日本人很多举措为后世许多科技落后国家实现科技突破，提供很好的借鉴意义。

    第一，探索和思考dram未来的演进方向，并确立目标以及演进路径。

    早在1972年日本人就对当时ibm“fs计划”中提出的“1m  dram”进行了探索和思考，而当时市场主流还处于1k  dram时代，这在当时简直是无法想象的。

    但是。日本就以此为目标，确立了超大规模集成电路(vlsi)的技术演进路径，而当时全球主流仍处于mos晶体管技术路线中。

    1975年日本人以通产省为中心的“下世代电子计算机用vlsi研究开发计划”构想，设立了官民共同参与的“超大规模集成电路(vlsi)研究开发政策委员会”。

    第二，官产学三位一体，制定国家项目进行重点攻关。

    1976年日本启动vlsi研究项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本政府启动了“dram制法革新”国家项目。

    由日本政府出资320亿日元，日立、nec、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。

    总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构-vlsi技术研究所。

    日本人官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，vlsi研究所组织多个实验室以会战的方式，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高dram量产成功率。

    期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。

    研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、x射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果。

    这为美日半导体战争，打下了坚实的产业和科研基础。

    第三，举国体制，突破产业链上下游，特别是半导体关键生产制造设备。70年代日本虽然可以生产dram内存芯片。

    但是，最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，日本人组织800名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化dram生产设备，不仅实现64k  dram和256k  dram的商用化，也实现1m  dram商用化的关键生产制程设备。

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