第一千一百七十九章 新芯片的优势(第 1/3 页)

    新芯片的设计，是非常完美先进的。

    而且，新芯片采用的是新材质，而不是硅，性能表现也不一样。

    正因如此，新芯片才可以在制程工艺远远落后的情况下，却是全方位超越了锐龙r9 3900x和酷睿i9 9900k。

    碳基集成电路技术，不是现在才出现。

    未来芯片实验室并不是第一家发现这种技术，而是之前就有实验室发现了这个技术，只是还没有做到成熟而已。

    早在一年前，就有实验室通过碳纳米管来制造芯片的核心元器件，也就是晶体管，并且发现由过碳纳米管制作的晶体管，是同尺寸硅材料制作的晶体管的5倍，并且能耗还不到其五分之一。

    这是一个重大的发现，也是臻国芯片有可能实现换道超车的突破口。

    不过，目前为止，这个技术还只能在实验室实现，而无法做到商业化，更无法实现量产，需要攻克的技术难关还非常多，也只是多了一个突破口，一个可能有用的发展方向。

    但未来芯片实验室，就把这个实现做成了成品，并且效果还更好。

    未来芯片实验室的新芯片，就是采用碳纳米管制造的碳基芯片，而运算速度做到了同尺寸硅材料制作的晶体管的10倍，其能耗更是不到五分之一。

    而且，芯片样品的制造，以及相关测试数据，也证明了量产和商业化的可能性。

    在不久前，英特尔公布过10nm制程以及首次展示了10nm的晶圆，而他们的10nm制程可以做到每平方毫米1亿晶体管，而同为10nm制程的台积电为每平方毫米4800万晶体管，三星则是每平方毫米5160万。

    这些数据，就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致，但这10nm制程也是相当难产，至今还没有正式推出相关产品。

    未来芯片实验室的新芯片在22nm制程，晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。

    单单是22nm制程晶体管密度，未来芯片实验室的芯片已经做到了极致，就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530 万晶体管，这几乎是被认为22nm工艺的极限。

    而未来芯片实验室的新芯片，同样是22nm制程，却是可以达到每平方毫米2000万晶体管，比英特尔的1530万晶体管，还多了470万晶体管。

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