第808章 正确的技术路线(第 2/2 页)

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    国产0.5微米光刻机虽然已经研发成功，但是为了避免打草惊蛇，所以，暂时并未准备大张旗鼓的在新闻上进行宣传。

    而且，在技术上也是遮遮掩掩，避免更快是被竞争对手了解技术方向。

    反正现阶段，0.5微米的光刻机，也不需要对外出售。

    现阶段，林蒙科技公司盈利模式，一方面是专利费，另外一方面则是光刻机。在专利数量方面，林蒙科技看起来不如新创业电子，一年也就注册一千多个国际专利，国内专利每年注册数量也不超过3000个。各种外观专利和一些应用专利，林蒙科技公司都不屑于注册，注册的基本上都是一些技术含量非常高的核心科技。

    比如，现在的0.5微米光刻机，就不是模仿现在的光刻机厂商的主流技术，而是应用了90年代还未普及的新技术，沉浸式光刻技术。

    用沉浸式光刻技术来做0.5微米的光刻机，也就是500纳米，有点杀鸡用了牛刀的感觉，但是如果现在不用的话，以后这些专利可能会被别人注册。所以，即使杀鸡用了牛刀，也先提前占坑！

    光刻机在60年代开始问世，一开始是接触式光刻机、接近式光刻机，到70年代逐渐升级到了投影式光刻机，使得半导体工艺水平，逐渐开始代表人类最精密的加工工艺水平。到1980年代，光刻机再度升级到了步进式光刻机和步进式扫描光刻机。

    每一次技术突破，都会使得半导体制造行业出现技术方向的选择。而选对的方向，自然是赢家通吃，而选错了方向，未来会因为技术落后，在利润更高的高端光刻机市场，失去自己的市场份额

    在80年代，欧美日等等国家拥有超过百家以上的企业，都是具备能力研发和生产光刻机的，甚至，就连东德曾经也是光刻机市场上的供应商。

    而进入90年代之后，大量的光刻机厂商开始掉队落后。欧洲的ASML在90年代初，市场占有率也不是那么高，甚至技术也不是太先进。真正让这家公司爆发，则是后来2002年，率先采用了193nm浸入式光刻机。一开始，193nm浸入式光刻机并未真正的领先，一直到2004年，才是利用193nm浸入式光刻机，做到了90纳米加工精度。随后，渐渐的突破65纳米、40纳米、28纳米，让非浸入式光刻机望尘莫及！

    尤其是，28纳米时代，更是让非浸入式光刻机厂商绝望，甚至，已经放弃了继续研发投入，因为，不可能追赶浸入式光刻机。

    也正是因为在关键性的技术节点上，选对了方向。所以，ASML公司在21世纪初，独霸光刻机市场。

    而佳能和尼康等等竞争对手，后来废了老大的劲，也很制造28纳米级别精度的光刻机，更何况，ASML公司并未停止进步，反而不断将精度从28纳米之后，继续向20纳米、14纳米、12纳米、10纳米、7纳米，不断的提升。

    其他的光刻机厂商，后来跟ASML的差距逐渐被拉大到十年以上。除非等到ASML专利过期，并且，未来工艺水平会长期停滞，否则，被技术差距被拉大到十年以上的程度的业界同行，基本没有可能抢回市场。

    而这次推出的光刻机，虽然工艺水平仅达到0.5微米，给侵入式光刻机技术丢人了，但是，宁可杀鸡用牛刀，也不能让技术路线的主导权，被别的厂商占了坑。

    侵入式光刻机问世后，一直是所有的对手都束手无策，只好眼睁睁的看着一家公司垄断市场。可见，这个技术路线在未来几十年来，代表着正确的方向。未来一直到5纳米时代，技术路线上都是在2002年的技术路线上修补。

    甚至可预见的未来，纳米时代终结之前，这个技术是无敌的。只有纳米时代之后，进入理论上存在的皮米级工艺时代，可能才会换成其他的技术路径。但是1纳米还不知道什么时候能达到，更别说，终结了纳米之后的皮米时代，有生之年能不能来临还是未知数。

    至少，在林棋和蒙欣所知的未来，人类对于材料的加工工艺精度，还未突破1纳米。